Правительство выделит 21 млрд руб. на поддержку зеленоградского завода микроэлектроники «Ангстрем-Т», заявил председатель госкорпорации ВЭБ
.РФ Игорь Шувалов. Его слова приводятся в стенограмме на сайте правительства.
Шувалов рассказал, что несколько месяцев назад ВЭБ
.РФ утвердили лимит 4,5 млрд руб., чтобы обеспечить бесперебойную работу завода (для выплат зарплат сотрудникам и уплаты налогов). Сегодня [на заседании наблюдательного совета ВЭБ
.РФ] обсуждалась следующая стадия развития завода и общий лимит финансирования – почти 21 млрд руб. Все деньги будут выделены из федерального бюджета, а риски по возврату денежных средств будет нести правительство, поскольку наблюдательный совет признал завод имеющим общегосударственное значение, заявил Шувалов. Все необходимые деньги в бюджете уже зарезервированы, также сообщил Шувалов.
В 2008 г. ВЭБ
(сейчас ВЭБ
.РФ) дал 815 млн евро «Ангстрем-Т» в кредит – на покупку оборудования у производителя микропроцессоров AMD и строительство завода микросхем по технологии 130 и 110 нм. Освоена технология 250 нм, говорил этой зимой представитель завода Виталий Арышев. Но завод не смог погасить долг, и в январе 2019 г. ВЭБ
.РФ получил 100% «Ангстрем-Т» и подал заявление о признании его банкротом. Председателем совета директоров «Ангстрем-Т» и после перехода контроля к ВЭБ
.РФ остается бывший министр связи и бывший владелец завода Леонид Рейман.
В 2016 г. «Ангстрем-Т» попал под санкции США. Запрет США на поставки технологий двойного назначения – одна из причин, почему завод не может вернуть долг, уверял Рейман.
На прошлой неделе стало известно, что Минпромторг предложил создать на базе «Ангстрем-Т» производство микроэлектроники. Дополнительное финансирование позволит заводу до 2024 г. освоить крупносерийное производство микроэлектроники по технологии от 250 до 90 нм, следовало из проекта стратегии электронной отрасли России до 2030 г., с которой ознакомились «Ведомости». К 2026–2027 гг. завод сможет обеспечить массовое производство интегральных схем по технологии 28 нм, а к 2030 г. – сформировать инфраструктуру для освоения технологии 10–7 нм, сказано в проекте стратегии.